半导体

  • 热解吸仪气相联用色谱法测定硅片表面的有机污染物

    硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。 GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。 本标准的检测限范围取决于被检测的有机化合物,比如碳氢化合物(C~C)的检测范围就是 10 g/cm~10g/cm。 本标准适用于硅抛光片和有氧化层的硅片

    2020-07-14 踏实热解析 26

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